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205 第205章 深挖芯片材料进军东南亚效仿大米（第1页）

第2o5章深挖芯片材料，进军东南亚效仿大米？

“如果要用一句话概括，那就是这款光刻胶是我专门为多重曝光技术而设计的产品。”

当陈星听见这句话那刻，心中也泛起了波澜。

因为没有13。5极紫外光的euV光刻机，各个环节都需要配合多重曝光技术去设计。

想弄更先进的光刻胶？

不好意思。

48纳米duV光刻机不支持！

因为48纳米的duV光刻胶照射出来的光源是193纳米，如果光刻胶不能适配这个数值，那将无法参与芯片生产。

“辛苦了。”

纵使有千言万语，陈星也只能化作这三个字。

他已经打定主意了，只要光刻工厂宣布建设完成，并投入使用那刻，就是彻底与西方摊牌，半导体领域全面反击的时刻。

“职责所在。”朱明月淡淡一笑，又拿起旁边的罐子道：“刚才的是正胶，这罐是反胶，总裁可以带回去试试效果。”

虽然光刻胶种类多，大致分为六种，不过4o纳米以下芯片用的光刻胶一般都是arF光刻胶，而它又区分正反胶。

何为光刻正反胶？

就比如说arF光刻胶的正胶，它被紫外光照射后，照射区域的化学性质会变得容易溶解，因此经过曝光的区域会被移除，形成电路图案，未曝光的区域则保持不变，形成所需的结构。

至于arF光刻胶的反胶，它被紫外光照射则截然相反，未曝光区域的化学性质变得容易溶解，因此未经曝光的区域会被移除，形成图案，经曝光的区域则保持不变，形成所需的结构。

光刻正反胶，它们分别对应了不同的光刻生产工艺，也是硅片曝光的必备。

“对了。”

朱明月在拿出光刻胶后，还不忘提一嘴道：“这款光刻胶阻抗是1o的2o次方，领先JsR株式会社、Tok东京应化5个次方。

“阻抗越高，就代表光刻胶纯度越高，纯度不足就会造成硅片污染，这款光刻胶总的来说就四个字，遥遥领先。”

“遥遥领先…”

陈星听见后难掩心中激动。

前有16英寸半导体硅片，后有1o^2oarF光刻胶，芯片生产原材料方面算是初步闭环了。

为什么说初步闭环，而不是说全面闭环？

那是因为光刻胶主要成分是感光树脂、光敏剂，溶剂，这里面还有材料细分。

就比如说感光树脂，它的成分是甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯，同样依赖半岛进口。

光敏剂同样如此，被东洋合成工业株式会社、富士胶片垄断，均是霓虹岛国企业。

芯片领域越往下深挖就会现，龙国落后的可不是一星半点。

上到光刻机、eda软件，下到半导体硅片、光刻胶等配套试剂。

你以为这就完了？

合成光刻胶的化学材料，也被人家所垄断。

这也就是为什么，陈星不急于公开芯片材料技术的原因。

因为还有底层的东西没解决，就不适合太张扬。

目前来说，提供为甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯的外国企业还没有断供，因为这些材料不仅仅可以用来制作光刻胶，还能用来医用，甚至也可以运用到石墨和涂料，不能算完全的半导体材料。

这也是为什么，这些企业没有参与联合制裁。

因为现在谁也想不到，龙国企业的工业底子已经可以生产1o^2oarF光刻胶，如果让它们知晓肯定会限制。

……