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第347章 挖光刻胶友商祖坟陈星还让不让人活了（第2页）

随着视频播放完，陈星又耐心讲解道：“如正如各位视频所见，抗阻弱的光刻胶会让本不该被曝光的区域生化学反应。”

“举个例子，我想光刻1型图案，我的光掩膜版也是1型图案，可光刻的同时，因为使用了劣质光刻胶，导致图案上方也生了化学反应，1型图案成了i型，多了那么一点，这就是半导体硅片污染。”

“啪啪啪——”

陈星缓口气的间隙，现场就响起了雷鸣般的掌声，直播间弹幕更是不停刷出。

“不是陈总，上帝到底给你关了哪扇门啊？你这个男人真特么完美到无可挑剔！”

“这讲述水平绝了，哪怕陈总是背诵稿子的，能够记住这么多，那也是天才级别。”

“大伙说有没有可能，其实陈总表面是公司席总裁，实际背地里还有一层身份，那就是龙兴科技公司的席科学家？”

“还真别说，确实有这个可能。”

“好好好，反差男是吧？”

过硬的业务水平，言简意赅的讲解让陈星收获了掌声与称赞，不过他也只是停顿了片刻，待现场掌声稍稍减弱，他压了压手，示意安静下来道：

“现在大家都对光刻抗阻有了一定的认知，那我就不得不再提光刻抗阻为什么可以反应出纯度，亦或者说品质。”

“玩过光源聚焦的都知道，光束越集中，单点能量就越强，这个大家可以拿个放大镜去聚焦太阳光，我就不过多赘述了。”

“目前的光刻机光源，分为已经半淘汰的248纳米，主要用于9o纳米以上的光刻，其次是193纳米光源和13。5纳米光源，这里值得注意的是，13。5纳米光源只有euV光刻机可以做到。”

“光源越小，能量密度越高，相对应的精准度也会越高，这就给我们光刻工程师提供了更高工艺水准芯片的温床，14纳米工艺芯片用的就是13。5纳米光源。”

“之前我也提到了，光束越集中，光刻的能量就越强，如果光刻胶抗阻型弱，是不是很容易造成半导体硅片污染？”

问题抛出，全场来宾都微微颔，认同陈星的说法。

罗浩更是凑近雷布斯，小声感慨道：“还别说，陈老弟完全可以去高校当教授了，居然连我都听得懂什么叫光刻抗阻。”

“这就叫积累，好好学吧。”

雷布斯淡淡回应。

陈星不拿任何提示稿件，现场也没有提词器，却可以把光刻抗阻讲述这么透彻，要说没下苦功夫那是不可能的。

而在所有观众对光刻抗阻和光源有了一定认知后，陈星继续讲述道：“因此想要造7纳米、5纳米甚至是3纳米芯片，光刻胶的抗阻性必须要跟上工艺进度，所以我们这款1o^25光刻胶理论支持…”

陈星按下手心的遥控器，Led屏幕弹出具体参数的瞬间，快开口道：“3纳米。”

“！！！”

“嘶！！！”

现场惊呼声，倒吸凉气声交织，宛如一场口技盛宴，每个人都贡献自己的声音。

任国非闪烁惊讶目光的同时，喃喃自语道：“这小子没开玩笑，他可能真在搞3纳米芯片。”

“这…”

雷布斯惊得说不出话。

罗浩、段勇平、陈永、王福等老总同样如此，一时间都被这个消息震慑住了。

当初陈星回应裤克，提出3纳米芯片的世纪赌约，几乎没有业内老总认为陈星可以办得到。

3纳米芯片什么概念？

这得有euV光刻机吧？

龙兴科技没有。

还要有高纯度光刻胶吧？

龙兴科技也没有。

最后还得设计相应集体电路图，具备熟练的生产工艺吧？