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第365章 百年之大变局此乃中兴之象（第3页）

不是设计3纳米芯片吗？

这怎么回事？

面对疑问，高正谦淡然一笑，回应道：“此7纳米非彼7纳米，而是采取了多重堆叠技术，让芯片性能翻倍的尝试，严格来说的话，它是性能直逼3纳米芯片的7纳米芯片。”

“？？？”

“？？？”

在场的秦龙、曲程都懵了。

7纳米直逼3纳米芯片性能？

这怎么可能！

简直闻所未闻，听都没听说过！

但忽然，曲程想到了什么，连忙询问道：“难道这就是突破量子隧穿效应，制造出更高性能芯片的办法？”

芯片纳米制程为什么推进慢？

原因就出自“量子隧穿”上，必须先解决它，才能造出新一代的纳米制程芯片。

那什么是量子隧穿效应？

众所周知，芯片的算力是由无数个o和1组成。

在电流通过芯片内部的晶体管，它就会给出o和1的反馈，形成基础的算力。

想要算力强劲，那芯片内部的晶体管数量自然要越多越好。

在指甲盖大小的有限面积，晶体管越多越好，这只能是把晶体管相隔的栅极做小，这也是所谓的纳米等级。

可问题来了。

栅极越小，晶体管就越近，电流是有相互吸引性的，这就可能会导致电流汇聚。

具体什么意思？

这就好比说，两股电流通过电路，本该是要产生o和1两个计算单元，结果因为晶体管栅极相隔实在太近，电流出现了交汇融合，导致只触了o这个计算单元，1的晶体管没有电流触，就会导致芯片算力出现混乱。

如果不解决这个问题，那就无法提升芯片纳米等级。

而世界公认的最小纳米，是5纳米，要是再往下，就会生严重的量子遂穿效应。

……

高正谦看了眼曲程，淡淡笑道：“是的，纯3纳米制程芯片，这可不是现阶段能够设计的，还需要更高性能的eda软件配合。”

“那就是说，我们其实在设计7纳米制程芯片？”陈星询问。

出于对高正谦的信任，他并没有过多干涉芯片研，只知道要弄3纳米芯片。

可他万万没想到，此3纳米非彼3纳米，它拥有3纳米的性能，却是7纳米的制程。

“对的。”

高正谦点了点头，又纠正道：“虽说是7纳米，但芯片性能方面是可以做到3纳米的。”

“明白了。”

陈星微微颔。

无论几纳米芯片，他只需要最终的性能数据。

当初和裤克的赌约，他约定的是运算次数翻倍，只要能做到，他还是赢家。

“不可思议。”

秦龙再次出感慨。

江策的网络安全技术，凌川的固态电池，还有如今高正谦的芯片多重堆叠技术，龙兴科技到底是家什么公司啊？

卧虎藏龙？

不！

这简直就是仙人扎堆！